SK海力士称已开发出其最先进的238层存储芯片

全球第二大存储芯片制造商SK海力士周三表示,该公司已开发出最先进的NAND闪存芯片,该芯片由238层存储单元组成,将用于个人电脑存储设备以及后来的智能手机和服务器。

SK海力士称其为”业界最高的” NAND闪存芯片,此前美国竞争对手美光科技上周表示,已开始出货一款232层的NAND闪存芯片。

SK海力士表示,这款238层的新芯片是NAND闪存芯片中尺寸最小的,数据传输速度比上一代芯片提高了50%,读取数据时消耗的能量减少了21%,功耗也提高了50%。

该公司计划在2023年上半年开始批量生产该芯片。

根据TrendForce的第一季度数据,SK海力士和SK收购的英特尔NAND业务的新名称Solidigm合计占据NAND闪存市场18%的份额,落后于三星电子的35.3%和Kioxia的18.9%。